盛夏已過，初秋開場

11月的高溫天氣仍然貨已不散居住也免不上被繁多的運行封印符咒

壓力大工作效率(6500V/3000A)IGBT檢測難？伴如今該項目需求量急、作業重、標準要求高建筑機械工程師們各種壓力山大...

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1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

致使SiC與Si功能的多種，SiC MOSFET的域值法直流的線電壓更具動搖定性處理，在器材檢測階段中域值法直流的線電壓會現嚴重的漂移，促使其電效能檢測并且高溫度柵偏耐壓后的電檢測報告嚴重的依賴關系于檢測必要條件。因而域值法直流的線電壓的最準確檢測，現今安全安全可靠性檢測步驟有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電阻值 RDSon為印象功率器件崗位時導通損耗量的一根本特征描述性能指標，其檢測值會隨 VGS 和T的轉變 而改進。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保證還可以將電阻值或 電流值受限制在SOA地區，預防電子器件弄壞或炸管。

測試軟件因素：800V 恒壓 10μA 限流

測試圖片前提條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）直流電流驗測線路將增長導通電流在測量控制精度；? SOCKET與PIN觸碰功率內阻、測式引線導通功率內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電流值波形參數自由振蕩；? 的線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 硬性同軸電纜線的等效電解電容與DUT串聯，SMU測試圖片時攀升各種安穩精力長；? 三同軸電線電纜等效電容器基本上為0。

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