国产精品一区视频-国产午夜亚洲精品午夜鲁丝片-国产免费一区视频观看免费-国产一区二区在线观看视频_PMST功率器件静态参数测试系统_3500V 2000A_车规IGBT测试_IGBT导通电阻测试-武汉普赛斯仪表有限公司-普赛斯仪表国产化高精度数字源表_IGBT测试系统_高电流脉冲电源_高电压源

PMST功率器件靜態參數測試系統

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普賽斯PMST互傳功效元電子元電子器件動態運作軟件測試系統的，集種檢測和了解功能表二合一，不錯精淮檢測各種不同二極管封裝型互傳功效元電子元電子器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的動態運作，還具有高電阻和大工率量性能指標、μΩ級明確檢測、nA級工率量檢測的能力等的特點。不支持高電壓基本模式下檢測互傳功效元電子元電子器件結濾波電感器，如插入濾波電感器、互傳濾波電感器、方向互傳濾波電感器等。普賽斯PMST電機馬力電子集成電路封裝冗余指標檢查檢查軟件系統安裝有各種各樣量測單元尺寸方案，方案化的的設計檢查檢查方式靈活性高，也能大大省事粉絲加入或更新量測方案，自我調節量測電機馬力電子集成電路封裝迅速變化的需求分析。

產品特點

● 高(gao)電壓達3500V(最大擴(kuo)展(zhan)至12kV)

● 大(da)電流(liu)達6000A(多模塊并(bing)聯)

● nA級漏電流μΩ級導通電阻(zu)

● 高精度測量(liang)0.1%

● 模塊化配置(zhi)，可(ke)添(tian)加或升級測量(liang)單元(yuan)，可(ke)提供了IV、CV、跨導等多種(zhong)功(gong)能鍵的綜上考試

●  測(ce)試效率(lv)高，自動切(qie)換、一鍵(jian)測(ce)試

● 溫度范圍廣，支持(chi)常溫、高(gao)溫測試(shi)

● 兼容多(duo)種(zhong)封裝，根據(ju)測試需(xu)求定制夾具

測試項目

● 二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

● 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

● Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻(zu)Rg、輸入電容(rong)Ciss/Cies、輸出電容(rong)Coss/Coes、反向(xiang)傳輸電容(rong)Crss/Cres、跨導gfs、輸出特(te)性曲線(xian)、轉移特(te)性曲線(xian)、C-V特(te)性曲線(xian)

● 光耦(四(si)端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入(ru)電(dian)容(rong)CT、輸出(chu)電(dian)容(rong)CCE、電(dian)流傳輸比CTR、隔(ge)離(li)電(dian)容(rong)CIO

系統優勢

1、IGBT等(deng)大功率器(qi)件(jian)(jian)由于其(qi)功率特(te)點(dian)極易產生(sheng)大量熱(re)量，施加應力時(shi)間長，溫度迅速上升，嚴重(zhong)時(shi)會使器(qi)件(jian)(jian)損壞，且(qie)不符合器(qi)件(jian)(jian)工作(zuo)特(te)性。普賽(sai)斯高壓(ya)(ya)變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)模快(kuai)加入的(de)耗時(shi)不低(di)于5ms，在測試測試方(fang)式中夠縮短(duan)待(dai)測物加電耗時(shi)的(de)低(di)熱(re)。

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2、壓力下(xia)(xia)漏(lou)電流的測(ce)試(shi)(shi)(shi)業(ye)務能(neng)力不(bu)同凡響，測(ce)試(shi)(shi)(shi)遍布率遠遠高(gao)于(yu)(yu)國際上(shang)品牌。市面上(shang)絕大(da)多數器(qi)件(jian)的規格書顯示(shi)，小模塊在高(gao)溫(wen)測(ce)試(shi)(shi)(shi)時(shi)漏(lou)電流一般大(da)于(yu)(yu)5mA，而車規級三相(xiang)半橋高(gao)溫(wen)下(xia)(xia)漏(lou)電大(da)于(yu)(yu)50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例(li)：3300V，125℃測(ce)試(shi)(shi)(shi)條件(jian)下(xia)(xia)ICES典型(xing)值14mA，最大(da)40mA。普賽斯靜態(tai)系統高(gao)壓模塊測(ce)試(shi)(shi)(shi)幾乎可(ke)以完美應對所有類(lei)型(xing)器(qi)件(jian)的漏(lou)電流測(ce)試(shi)(shi)(shi)需求。

3、還有就是，VCE(sat)測試是定性分析 IGBT 導通顯卡工作電壓值的常見因素，對控制開關顯卡工作電壓值還是有一段的危害。須得實用髙速窄脈寬直流電壓值源，脈寬飆升沿進程要已經可以快時功能模塊增大電子元器件升溫，另外機器設備須得有搜集采集電壓值功能模塊。

IGBT冗余測評(ping)圖(tu)片(pian)系統(tong)的(de)大感應功(gong)率(lv)引擎：50us—500us 的(de)可調節(jie)為感應功(gong)率(lv)脈寬，增漲邊沿在(zai)(zai) 15us(基本特(te)征值(zhi))，限制(zhi)待測物(wu)在(zai)(zai)測評(ping)圖(tu)片(pian)期間中的(de)變燙(tang)，使測評(ping)圖(tu)片(pian)結果顯示愈來愈較準。下圖(tu)為 1000A 波形：

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4、短時間利索(suo)的(de)(de)客制化車(che)床夾具化解計(ji)劃方案(an)：強大的(de)(de)測(ce)試(shi)夾具解決方案(an)對于保(bao)證操作人員安(an)全和支(zhi)持各種(zhong)功率(lv)器件封裝類型極(ji)為重要。不論器件的(de)(de)大小或形狀(zhuang)如何，普賽(sai)斯(si)均可以快速(su)響(xiang)應用戶需求(qiu)，提供(gong)靈活的(de)(de)客制化夾具方案(an)。夾具具有低(di)阻(zu)抗、安(an)裝簡單(dan)(dan)、種(zhong)類豐(feng)富等特點，可用于二極(ji)管(guan)、三極(ji)管(guan)、場效應晶體管(guan)、IGBT、SiC MOS、GaN等單(dan)(dan)管(guan)，模組類產品的(de)(de)測(ce)試(shi)。

產品選型

項目	最大電壓	最大電流	精度	漏電流測試量程
集探針-發極	3500V	6000A	0.1%	1μA-100mA

項目	最大電壓	最大電流	精度	最小電流量程
柵極-發送極	300V	1A(直流電源)/10A(脈沖激光)	0.1%	10nA

項目	基本測試精度	頻率范圍	電容值范圍
電解電容測量	0.05%	0.05%	0.01pF-9.9999F

PMST熱效率電子元器件靜態式的設備不同的金橋銅業跨接線的截面積大小增加主要參數關聯性：

型號	大電流源測單元規格	大電流源測單元數量	高壓源測單元規格	高壓源測單元數量	最大電壓/電流
PMST1203	300A/30V	1	1200V/100mA	1	1200V/300A
PMST1210	1000A/18V	1	1200V/100mA	1	1200V/1000A
PMST2210	1000A/18V	1	2200V/100mA	1	2200V/1000A
PMST3510	1000A/18V	1	3500V/100mA	1	3500V/1000A
PMST3520	1000A/18V	2	3500V/100mA	1	3500V/2000A
PMST8030	1000A/18V	3	8000V/100mA	1	8000V/3000A