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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100半導體芯片主要參數進行自測儀都具有高的精密度、寬自動量程之內、 怏速靈巧、兼容模式強等資源優勢,產品可不可以同時兼容DC直流電-交流相電壓(I-V)、濾波電容-交流相電壓(C-V)及其高流壓力下輸入脈沖式I-V功能的自測。        針對功能化的框架的設計,是可以幫到大家依據測試圖片必須 ,機靈選裝估測單元尺寸參與加劇。物料使用最好1200V電壓值、100A大電流值值、1pA小電流值值辨別率的估測,的同時查重10kHz至1MHz位置內的多頻AC電容器估測。        選用專門用半導規格檢測軟件下載,支撐信息交互式一鍵改手動操控或融合檢查探針臺的一鍵操控,是可以從測量如何設置、執行力、成果剖析到數據報告的管理的全的過程,做到高效化和可按順序的配件研究方法;也可與高低溫箱、溫度控制模塊電源等打配運用,充分考慮高低溫檢測供給。

產品特點

●    30μV-1200V,1pA-100A 寬量(liang)程測試能力

●     測量精度高,全量程下可達0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自動實時參數(shu)提取、 數(shu)據繪圖、分析函(han)數(shu)

●     在CV和IV測量之(zhi)間快速切換而無(wu)需重新布線(xian)

●     提供(gong)靈活(huo)的夾具(ju)定(ding)制(zhi)方(fang)案(an),兼(jian)容(rong)性強(qiang)

●     免費提供上位(wei)機軟件及(ji)SCPI指(zhi)令集


主(zhu)要用途(tu)設計(ji)及(ji)考試(shi)技術參數

1、納米材料:電(dian)阻率、載流子(zi)遷移(yi)率、載流子(zi)濃度(du)、霍(huo)爾電(dian)壓

2、柔性材料:拉伸/扭轉(zhuan)/彎(wan)折、V-t、I-t、R-t、電阻率(lv)、靈(ling)敏度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線(xian)

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉移(yi)/CV曲線等

5、光電探測器:暗電流ID、結電容Ct、反(fan)向擊穿電壓VBR、響應度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線(xian)

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流(liu)/脈沖/交流(liu)IV測(ce)試


標志性好處

1、模塊化配置:可靈活(huo)配置(zhi)多(duo)種測量單元(yuan),預留(liu)升(sheng)級空間,方便后期升(sheng)級

2、圖形化界面:內置常(chang)用器(qi)件模(mo)板,可(ke)直(zhi)接調用,并且支持(chi)輸出(chu)三種模(mo)式測(ce)試報(bao)告

3、自動化測試:內嵌低漏電(dian)矩陣開(kai)關,可自動切換測試電(dian)路,實現一鍵(jian)測試功能(neng)

4、夾具可定制:支持二極管(guan)(guan)、三(san)極管(guan)(guan)、Si及SiC MOS管(guan)(guan)、IGBT等(deng)器件

5、多設備聯動:可與探針臺、溫(wen)控模塊等搭(da)配(pei)使用,溫(wen)控范圍(wei):室溫(wen)~250℃

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提升半(ban)導體(ti)技術相關材料(liao)、處理芯片元(yuan)件制定或先進集體(ti)生產工藝的(de)開發建設校(xiao)驗

1、適用直流電壓、脈沖造成的I-V測試

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2、原機技術矩陣計算旋轉開關,提升測式生產率

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3、可與多機器聯動性性在使用:晶圓級心片安全性能自測必須與測試探針臺聯動性性,可信度性評定會針對的目標恒溫的或高底溫等情況

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4、三同中軸線纜上升小電壓電流測試軟件高精度

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空間(jian)圖形(xing)化pc軟件界面顯示

搭配普賽斯自主性規劃設計的專業檢測appAPP,SPA6100可愉快變現半導體電子元器材素材,電子元器材的叁數檢測。系統內部快速設置通常用電子元器材模版網站,如二級管, 三級管,MOSFET。檢測階段中,可可以直接資源調用,只需簡簡單單快速設置檢測叁數既可以。appAPP適用檢測統計資料庫表示,甚至的弧度建模。檢測成功 后,可將統計資料庫甚至的弧度另存保存圖片。

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靈活性(xing)高可個性(xing)定制(zhi)化的沖壓模具計劃方案(an)

爭對目前上區別電子器件封裝性質的半導體設備元器軟件,普賽斯給予小套治具防止設計方案。治具兼具低電阻值、裝配簡短、類高等優缺點,可 于電感、結晶管、場定律結晶管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類軟件的試驗;也可與探頭臺鏈接,達成晶圓級電子器件 試驗。


不同的(de)封裝業(ye)務類(lei)型(xing)業(ye)務類(lei)型(xing)的(de)工(gong)裝夾具

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產品選型

舒張(zhang)壓直(zhi)流電(dian)壓I-V源精確(que)測量(liang)機組

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

低電壓單脈沖I-V源測量方法標段(duan)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(直流電) / 30A(智能)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

高壓低壓I-V源(yuan)在測量第一單元

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高流I-V源(yuan)衡(heng)量第一單元

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

電阻測量方法象限

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



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